磷化銦
化學式：InP
純度：99.999%，99.9999%
應用：磷化銦是第二代半導體材料，廣泛應用于光通信、集成電路等領域。5G 時代技術革 新帶來以磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料的蓬勃發展。磷化銦（InP）是一種 III~V 族化合物，閃鋅礦型 晶體結構，晶格常數為 5.87×10-10 m，禁帶寬度為 1.34 eV，常溫下遷移率為 3000~4500 cm2 /(V.S)。InP 晶體具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率 高等諸多優點，被廣泛應用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽 電池等領域。未來組件需求將以高速、高頻與高功率等特性，鏈接 5G 通訊、車用電子與 光通訊領域的應用，第二、三代化合物半導體有望突破硅半導體摩爾定律。
